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EEPROM | Cypress Semiconductor

EEPROM

最近更新: 
2018 年 3 月 20 日
版本: 
3.0
特性 符号图
  • 512 B 到 2 KB EEPROM 内存
  • 1,000,000 个周期,20 年的数据保持能力
  • 一次读取/写入 1 字节
  • 一次编辑 16 字节(一行)
EEPROM Eiagram

概述

EEPROM 组件提供一组 API 以将数据擦写到非易失性 EEPROM 存储器中。术语“写入”指的是在一个操作中先擦除,然后编程。

PSoC 器件中的 EEPROM 内存以阵列方式加以排列。PSoC 3 and PSoC 5LP devices offer an EEPROM array of size 512 bytes, 1 KB or 2 KB depending on the device. 该阵列则分为每行 16 个字节的数行。EEPROM 组件的 API 集可支持字节和行层级的写操作以及扇区层级的擦操作。EEPROM 中的扇区有 64 行。

翻译文档仅作参考之用。我们建议您在参与设计开发时参考文档的英语版本。