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CY14B101LA, CY14B101NA: 1-Mbit (128 K × 8/64 K × 16) nvSRAM | Cypress Semiconductor

CY14B101LA, CY14B101NA: 1-Mbit (128 K × 8/64 K × 16) nvSRAM

最近更新: 
2017 年 5 月 22 日
版本: 
*R

特性

  • 20 ns、25 ns 和 45 ns 访问时间
  • Internally organized as 128 K × 8 (CY14B101LA) or 64 K × 16 (CY14B101NA)
  • 只需一个小电容,即可在断电时实现自动存储
  • 可通过软件、器件引脚或断电时自动存储 (Autostore on power-down) 触发存储至 QuantumTrap 非易失性元件
  • 可通过软件或加电触发回读至 SRAM
  • 无限的读、写和数据恢复循环
  • 1 百万次存储至量子井的循环
  • 20 年数据保留
  • Single 3 V +20% to –10% operation
  • 工业温度
  • Packages
    • 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC)
    • 44-/54-pin thin small outline package (TSOP) Type II
    • 48-pin shrink small-outline package (SSOP)
    • 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA)
  • 无铅并符合有害物质限制 (RoHS)

功能描述

赛普拉斯 CY14B101LA/CY14B101NA 是一种快速静态 RAM (SRAM),且每个存储器单元中都包含非易失性元件。该存储器采用“128 K 字节,每字节 8 位”或“64 K 字,每字 16 位”的组织方式。嵌入式非易失性组件通过采用量子井技术,打造出世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM 能够实现无限次读写循环,而独立的非易失性数据则存储在高度可靠的量子井单元中。Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

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