CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3: 1-Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

1-Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

特性

• 1 Mbit 非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)
  • 内部组织方式为 128 K x 8
  • 在断电时自动启动 (AutoStore) 或者由用户使用 HSB 引脚（硬件 STORE）或 SPI 指令（软件 STORE）启动数据存储至量子井非易失性组件
  • 在通电时启动（通电 RECALL）或者由 SPI 指令（软件 RECALL）启动数据恢复至 SRAM
  • 通过小型电容在断电时自动存储数据（CY14B101Q1 除外）
• 高可靠性
  • 无限的读、写和数据恢复循环
  • 1 百万次存储至量子井的循环
  • 数据保留时间：20 年
• 如需更多信息，请参阅 PDF 文档

功能概述

The Cypress CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3 combines a 1-Mbit nvSRAM with a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface. 该存储器采用“128 K 字，每字 128 位”的组织方式。嵌入式非易失性组件通过采用量子井技术，打造出世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM 能够实现无限次读写循环，而量子井单元则能够提供高度可靠的非易失性数据存储空间。断电时，数据会从 SRAM 自动转移到非易失性元件中（“存储”操作）（CY14B101Q1 除外）。On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation). Both STORE and RECALL operations can also be initiated by the user through SPI instruction.