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CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3: 1-Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM | 赛普拉斯半导体

CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3: 1-Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

最近更新: 
2020 年 5 月 28 日
版本: 
*P

1-Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

特性

  • 1 Mbit 非易失性静态随机存取存储器 (nvSRAM)
    • 内部组织方式为 128 K x 8
    • 在断电时自动启动 (AutoStore) 或者由用户使用 HSB 引脚(硬件 STORE)或 SPI 指令(软件 STORE)启动数据存储至量子井非易失性组件
    • 在通电时启动(通电 RECALL)或者由 SPI 指令(软件 RECALL)启动数据恢复至 SRAM
    • 通过小型电容在断电时自动存储数据(CY14B101Q1 除外)
  • 高可靠性
    • 无限的读、写和数据恢复循环
    • 1 百万次存储至量子井的循环
    • 数据保留时间:20 年
  • 如需更多信息,请参阅 PDF 文档

功能概述

The Cypress CY14B101Q1/CY14B101Q2/CY14B101Q3 combines a 1-Mbit nvSRAM with a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface. 该存储器采用“128 K 字,每字 128 位”的组织方式。嵌入式非易失性组件通过采用量子井技术,打造出世界上最可靠的非易失性存储器。SRAM 能够实现无限次读写循环,而量子井单元则能够提供高度可靠的非易失性数据存储空间。断电时,数据会从 SRAM 自动转移到非易失性元件中(“存储”操作)(CY14B101Q1 除外)。On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation). Both STORE and RECALL operations can also be initiated by the user through SPI instruction.

翻译文档仅作参考之用。我们建议您在参与设计开发时参考文档的英语版本。