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CY14V116N: 16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM | Cypress Semiconductor

CY14V116N: 16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM

最近更新: 
2015 年 8 月 17 日
版本: 
*H

16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM

特性

  • 16-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)
  • 高可靠性
  • Sleep mode operation
  • 低功耗
  • Operating voltage
  • Industrial temperature: –40 °C 至 +85 °C
  • 165-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant
  • 如需更多信息,请参阅 PDF 文档。

功能描述

The Cypress CY14V116N is a fast SRAM, with a nonvolatile element in each memory cell. 该存储器采用“1024 K 字,每字 1024 位”的组织方式。嵌入式非易失性组件通过采用量子井技术,打造出世界上最可靠的非易失性存储器。The SRAM can be read and written an infinite number of times. The nonvolatile data residing in the nonvolatile elements do not change when data is written to the SRAM.